La société essaimée du Leti et de Soitec veut devenir un leader Européen dans la fourniture de composants GaN pour l'automobile, le solaire, l’infrastructure et les télécommunications.

Exagan, une start-up innovante dans la technologie des semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) permettant d'obtenir des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces, a annoncé aujourd'hui avoir levé 5,7 millions d'euros lors d'une première levée de fonds pour produire des interrupteurs de puissance très rapides sur des tranches de 200 mm.

Parmi les investisseurs figurent des fonds d'investissement français spécialisés dans l’amorçage de sociétés technologiques à fort potentiel de croissance:

• Technocom2, géré par Innovacom, une entreprise française pionnière du capital-risque
• CM-CIC Innovation, la branche d'investissement du grand groupe bancaire européen, Crédit Mutuel-CIC
• IRDInov, investisseur régional d'amorçage dans les entreprises émergentes à forte croissance
• CEA investissement, investisseur d'amorçage dans les entreprises de haute technologie, dont la participation passe par le fonds stratégique du CEA
• Soitec, leader mondial dans les matériaux révolutionnaires pour semi-conducteurs

Suite à l'annonce récente par Exagan d'un accord avec X-FAB pour la production de composants sur des tranches de 200 mm, ce financement permettra de réaliser sa mission de devenir un leader Européen en interrupteurs de puissance GaN pour l'automobile, le solaire, l'infrastructure et les télécommunications.

Cette mission s’appuie sur son partenariat stratégique conclu avec le CEA Tech-Leti qui développe des applications avec certains de ses partenaires industriels, à partir de la plateforme G-FETTM 650 V d'Exagan et ses performances inégalées de commutation de puissance avec pertes par conduction extrêmement basses.

La société Exagan, implantée à Grenoble avec une branche sur Toulouse, a été créée par essaimage à partir du Leti et de Soitec en 2014, et utilise des licences sur les matériaux et composants issus des deux organisations.

L’intégration de la puissance est un élément clé pour atteindre les objectifs d’efficacité et de réduction des coûts des convertisseurs électriques, que les interrupteurs de puissance en silicium ont du mal à adresser. Pour cela, les propriétés intrinsèques du matériau des composants GaN offrent des gains en intégration de puissance et efficacité qui permettent d’augmenter la densité de puissance et la vitesse de commutation au niveau du composant.

«Ce premier volet significatif de financement couronne nos efforts de coopération des cinq dernières années avec le Leti et Soitec pour commercialiser la technologie GaN sur silicium, et soutient notre engagement de fournir à nos clients des composants GaN qualifiés en fort volume, se félicite Frédéric Dupont, PDG et cofondateur d'Exagan. Nous voulons offrir à nos clients des composants de haute performance fiables, développés avec des partenaires industriels fournissant déjà des technologies ou des produits sur les marchés-visés.»

«Exagan a développé une plateforme produit G-FETTM offrant des avantages concurrentiels majeurs pour les fabricants de convertisseurs électriques utilisés dans l'industrie électronique de puissance, explique Vincent Deltrieu, partenaire chez Innovacom. En mettant à profit son efficacité et les économies d'énergie associées, Exagan est bien parti pour devenir l'un des principaux fournisseurs de technologie sur ce marché en forte croissance, qui pourrait dépasser le milliard d'euros dans les années à venir.»

Pour Stéphane Simoncini, directeur investissement chez CM-CIC Innovation, «Frédéric Dupont et Fabrice Letertre, directeur opérationnel et cofondateur d'Exagan, constituent l'équipe idéale pour atteindre les objectifs commerciaux et technologiques d'EXAGAN. Leur vision technique et commerciale ouvre un énorme segment de marché dans l'électronique de puissance, entre le silicium et le carbure de silicium.»

«Forts de notre expérience dans les industries automobile et aérospatiale, nous sommes convaincus qu'il existe des marchés pour les dispositifs électroniques de puissance à base de GaN, renchérit Jean-Michel Petit, directeur d'IRDInov. Pour Exagan, c'est une raison supplémentaire de développer davantage sa présence à Toulouse, où se concentrent des compétences en électronique de puissance, ainsi que de nombreux clients potentiels.»
Pour le PDG de Soitec, Paul Boudre, «Soitec est évidemment ravie que cette première levée de fonds se soit bien déroulée pour Exagan. Sa technologie à base de GaN sur silicium s'appuie sur notre propre expertise en matériaux et ouvre des perspectives très intéressantes sur des marchés prometteurs tels que l'électronique, l'automobile ou l'énergie. Exagan dispose d'atouts de taille pour mener à bien l'innovation dans les technologies de conversion, notamment grâce à son implantation grenobloise, au milieu de sociétés innovantes et de pôles d'intégration technologique.»

Soitec et CEA investissement ont également assuré un soutien financier à Exagan avant cette première levée de fonds.

La Directrice du Leti, Marie-Noëlle Semeria, a expliqué que son organisation investit depuis de nombreuses années dans les procédés à base de nitrure de gallium, car elle fait le pari qu'ils seront les moteurs d'innovation dans l'électronique de puissance, et qu'ils accéléreront le développement des technologies de l'énergie durable. «Les perspectives d'Exagan nous enthousiasment. C'est une source européenne de nouveaux interrupteurs GaN destinés à nos partenaires industriels clés du transport et de l'énergie, ainsi qu'à des marchés plus importants. Grâce à son partenariat avec Exagan, le Leti va augmenter ses investissements dans ce domaine, et développer davantage son expertise poussée dans les technologies du GaN et les systèmes et applications associés.»

Source : Communiqué de presse